Трудовая функция "Конструирование наногетероструктурных СВЧ- монолитных интегральных схем в соответствии с техническим заданием для выбираемой технологии"

Код
B/01.7
Уровень квалификации
7
Трудовые действия
  • Разработка структурных схем и схем принципиальных МИС СВЧ, оптимизация их параметров с учетом существующих технологических маршрутов производства и технологических ограничений
  • Разработка моделей элементов МИС СВЧ. Моделирование характеристик наногетероструктурных МИС СВЧ. Выбор программного обеспечения для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ
  • Выбор и обоснование типа гетероструктур и активных элементов (транзисторов, диодов), необходимых для достижения заданных основных электрических и эксплуатационных параметров МИС СВЧ
Требования к образованию и обучению
  • Технический английский язык
  • Основы физики гетеро-эпитаксиальных структур, гетероструктурных приборов
  • Параметры полупроводниковых материалов
  • Современные системы моделирования и проектирования СВЧ устройств и МИС СВЧ
  • Основы технологии МИС СВЧ
  • Методы сквозного проектирования МИС СВЧ
  • Физические основы применения полупроводниковых соединений типа AIIIBV и гетероструктур на их основе, применяемых в полупроводниковой СВЧ наноэлектронике
  • Методы структурного синтеза с ограничениями и особенностями реализации на СВЧ
  • Методы схемотехнического анализа и синтеза МИС СВЧ с учетом электродинамических характеристик моделей элементов
  • Схемотехника пассивных и активных устройств СВЧ
  • Основы метрологии и методы измерения параметров СВЧ устройств
  • Зондовые измерения
  • Библиотеки моделей пассивных и активных элементов МИС СВЧ
  • Системы технологического моделирования (TCAD)
  • Статистический анализ результатов измерений параметров МИС СВЧ и их элементов
  • Современное контрольно-измерительное оборудование
  • Процедуры разработки и согласования технического задания
Требования к опыту практической работы
  • Проводить анализ технической литературы на русском и английском языках
  • Разрабатывать конструкторскую документацию на стадии технического предложения
  • Составлять согласно стандартам технические задания на конструирование МИС СВЧ
  • Проводить оптимизацию структурных и принципиальных схем МИС СВЧ
  • Составлять планы проведения экспериментальных работ
  • Составлять математические модели анализируемых элементов МИС СВЧ
  • Рассчитывать параметры на основе математических моделей
  • Использовать результаты моделирования в проектировании МИС СВЧ
  • Встраивать модели элементов в системы автоматизации проектирования
  • Верифицировать созданные модели на основе численных и натурных экспериментов
  • Анализировать результаты измерений и методы электромагнитного и схемотехнического моделирования для разработки математических моделей элементов МИС СВЧ
  • Разрабатывать недостающие в библиотеках модели элементов МИС СВЧ на основе анализа и экспериментальных измерений тестовых пассивных и активных элементов
  • Выбирать программное обеспечение для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ
  • Разрабатывать специальное программное обеспечение для построения моделей элементов и конструирования МИС СВЧ
  • Разрабатывать модели МИС СВЧ, учитывающие параметры гетероструктурных подложек, применяемых пассивных и активных элементов с помощью систем моделирования и автоматизированного проектирования, включая системы технологического проектирования (TCAD)
  • Оценивать технические и экономические риски при выборе направления конструирования МИС СВЧ
  • Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при конструировании МИС СВЧ
  • Составлять отчет по результатам моделирования и экспериментальных измерений, включающий описание полученных моделей
< К профстандарту