Трудовая функция "Проведение расчета параметров технологического процесса эпитаксиального выращивания наногетероструктур на подложках, применяемых в СВЧ-электронике"

Код
C/01.7
Уровень квалификации
7
Трудовые действия
  • Анализ ТЗ на разработку МИС СВЧ в части требований к материалам и типу наногетероструктуры
  • Обоснование выбора машины для проведения эпитаксии
  • Расчет технологических режимов выращивания эпитаксиальных слоев
  • Моделирование роста гетероструктур с применением TCAD
  • Разработка технологической документации на изготовление гетероструктур
Требования к образованию и обучению
  • Технический английский язык
  • Основы материаловедения полупроводников и гетероструктур
  • Методы эпитаксии для производства гетероструктур, применяемых в наноэлектронике СВЧ
  • Работа с установками сверхвысокого вакуума
Требования к опыту практической работы
  • Работать на машинах молекулярно-лучевой эпитаксии
< К профстандарту