Трудовая функция "Моделирование наногетероструктур, активных и пассивных элементов, технологических операций изготовления гетероструктурных МИС СВЧ с использованием технологических систем моделирования и проектирования элементов и технологий полупроводниковых ИС, в том чис"

Код
A/04.7
Уровень квалификации
7
Трудовые действия
  • Анализ требований КД на МИС СВЧ
  • Выбор на основе опыта и в соответствии с ТЗ и КД материалов и типа наногетероструктуры
  • Моделирование наногетероструктур, определение их параметров, необходимых для расчета активных элементов (СВЧ-транзисторов, диодов) с использованием TCAD и других программных продуктов
  • Моделирование технологического процесса изготовления активных элементов, определение параметров ТП на основе данных моделирования
  • Моделирование технологических операций изготовления пассивных элементов - линий передачи, конденсаторов, резисторов, мостов, и др.
  • Отчет о результатах моделирования, согласование его с руководителем и передача технологу для использования при разработке ТД
Требования к образованию и обучению
  • Основы физики гетероэпитаксиальных структур и приборов
  • Параметры полупроводниковых материалов
  • Современные системы моделирования и проектирования СВЧ устройств и МИС СВЧ
  • Основы технологии МИС СВЧ
  • Методы сквозного проектирования МИС СВЧ
  • Единая система технологической документации (ЕСТД), нормативная документация, регламенты, принятые в организации
  • ГОСТ по постановке продукции на производство
Требования к опыту практической работы
  • Оценивать технические и экономические риски при выборе технологических процессов изготовления МИС СВЧ
  • Оценивать временные затраты на стандартные и нестандартные подходы при производстве МИС СВЧ
< К профстандарту